刻蚀机和光刻机的区别：光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？打个比方。如果把一根直径是0.05毫米头发丝，按轴向平均剖成5000片，每片的厚度大约就是10纳米。现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML公司，最小到10纳米。台积电买的都是它的光刻机。ASML公司实际上是美国、荷兰、德国等多个国家技术合作的结果。因为这方面的研究难度太大，单个国家完成不了。除了ASML，世界上只有我们还在高端光刻机上努力研发。

我们是受到技术禁运的，不能买他最先进的产品，国内上海量产的是90纳米的光刻机。技术上有差距。2017年，长春光机所“极紫外光”技术获得突破，预计能达到22-32纳米，技术差距缩小了。

我相信，不久的将来，我们的科技人员一定能研制出世界一流的光刻机，不再被卡脖子。核心技术、关键技术、国之重器必须立足于自己。科技的攻关要摒弃幻想，靠我们自己。

我们刻蚀机技术已经突破，5纳米的刻蚀机我们也能自主生产，现在卡脖子的是光刻机。在芯片加工过程中，光刻机放样，刻蚀机施工，清洗机清洗。然后反复循环几十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶体管的集成电路才能完成。放样达不到精度，刻蚀机就失去用武之地了。

什么是光刻机

光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。