刻蚀机和光刻机的区别：光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？打个比方。如果把一根直径是0.05毫米头发丝，按轴向平均剖成5000片，每片的厚度大约就是10纳米。现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML公司，最小到10纳米。台积电买的都是它的光刻机。ASML公司实际上是美国、荷兰、德国等多个国家技术合作的结果。因为这方面的研究难度太大，单个国家完成不了。除了ASML，世界上只有我们还在高端光刻机上努力研发。

我相信，不久的将来，我们的科技人员一定能研制出好的的光刻机，不再被卡脖子。核心技术、关键技术、国之重器必须立足于自己。科技的攻关要摒弃幻想，靠我们自己。

我们刻蚀机技术已经突破，5纳米的刻蚀机我们也能自主生产，现在卡脖子的是光刻机。在芯片加工过程中，光刻机放样，刻蚀机施工，清洗机清洗。然后反复循环几十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶体管的集成电路才能完成。放样达不到精度，刻蚀机就失去用武之地了。

刻蚀机是什么

实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

刻蚀机的原理

感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，然后从真空管路被抽走。